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多功能電阻率測(cè)試儀在基本表的基礎(chǔ)上，通過增加控制轉(zhuǎn)換、輸入過流保護(hù)，精密分流器、精密儀表放大器，實(shí)現(xiàn)直流電流（DC-μA.mA）的j確多量程測(cè)量。

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導(dǎo)電電阻率測(cè)試儀在基本表的基礎(chǔ)上，通過增加控制轉(zhuǎn)換、輸入過流保護(hù)，精密分流器、精密儀表放大器，實(shí)現(xiàn)直流電流（DC-μA.mA）的j確多量程測(cè)量。

方阻電阻率測(cè)試儀采用范德堡測(cè)量原理能解決樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差，提供通訊接口，PC軟件數(shù)據(jù)處理及數(shù)據(jù)分析.中文或英文語(yǔ)言版本.

物體表面導(dǎo)電電阻率測(cè)試儀在基本表的基礎(chǔ)上，通過增加控制轉(zhuǎn)換、輸入過流保護(hù)，精密分流器、精密儀表放大器，實(shí)現(xiàn)直流電流（DC-μA.mA）的j確多量程測(cè)量。

四探針方阻電阻率測(cè)試儀采用范德堡測(cè)量原理能解決樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差，提供通訊接口，PC軟件數(shù)據(jù)處理及數(shù)據(jù)分析.中文或英文語(yǔ)言版本.硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及國(guó)標(biāo)設(shè)計(jì)制造；GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》.

高絕緣電阻率測(cè)試儀高性能全功能超高阻、微電流綜合測(cè)量?jī)x表，除了覆蓋LST-121的全部功能與用途外，其他特點(diǎn)與用途見上述專題介紹。

四探針方阻儀 方阻電阻率測(cè)試儀采用范德堡測(cè)量原理能解決樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差，提供通訊接口，PC軟件數(shù)據(jù)處理及數(shù)據(jù)分析.中文或英文語(yǔ)言版本.